近年来，在半导体工业中，对臭氧的应用越来越多。臭氧被广泛运用在晶圆清洗和电子元件清洗中。德国ANSEROS安索罗斯臭氧发生器MEGAGEN系列COM-VD在半导体加工等方面发挥重大作用。
ANSEROS安索罗斯臭氧发生器COM-VD系列是专门为获得高浓度臭氧而设计的。在低氧气消耗量的气相中，臭氧最高浓度可达到 300g O3/Nm3。
MEGAGEN系列臭氧发生器COM-VD能与ANSEROS安索罗斯AOPR反应器配合使用，其质量转移效果非常好，可以将大量的臭氧转换成液相，从而达到强力去除COD的目的。
臭氧发生器MEGAGEN COM-VD系列数据表
最高臭氧浓度
低耗氧量
低功耗
相关反应性高
低AOPR(高级氧化工艺)能耗
+ AOP(高级氧化技术)污水处理、去除COD
+ HOXON®废水系统, API废水
+ 半导体加工（如晶圆清洗，电子元件臭氧清洗）
+ 除臭
+ 研发
+ 药品生产
臭氧发生器在半导体晶圆清洗上的应用
晶圆清洗是目前半导体生产线上最重要、最严谨的工序之一，在很多的清洗工序中，只要有一道工序达不到要求，就会导致征辟的芯片的报废和流程不顺畅，传统的RCA清洗法需要大量的化学试剂，带来了成本的增加以及均匀性不一致的问题，而臭氧是一种具有较高氧化性的气体，把它溶解在超纯水中，喷洒在晶圆表面，可以将表面的有机污染物氧化为二氧化碳和水，非常容易就可以去除表面有机物，同时还会在晶圆表面形成一层致密的氧化膜。因此德国ANSEROS安索罗斯臭氧发生器非常适合运用在半导体特别是晶圆清洗上。
部分客户展示
| 类型 | 单位 | COM-VD-08 | COM-VD-16 | COM-VD-24 |
| 臭氧容量 | g O3 /h | 60 | 120 | 180 |
| 最大臭氧浓度 | g O3/Nm3 | 300 | 300 | 300 |
| 最小臭氧浓度 | g O3/Nm3 | 150 | 150 | 150 |
| 臭氧气体压力输出 | bar (g) | <2.9 | ||
| 最小氧气消耗量 | Nm3 /h | 0,2 | 0,4 | 0,6 |
| 电功率 | kW | 0,6 | 1,2 | 1,8 |
| 电源 | VAC /Hz | 230/50-60/1 phase | ||
| 能效 | kWh/kg O3 | 10 | 10 | 10 |
AOPR评级, 动力 | kg O3/(bar *h* m3H2O） | 10 ... 500 | ||
| 冷却液，目标温度 | m3 /h283 K | 0,1 | 0,2 | 0,3 |
| 外形尺寸 | mm | 高280*宽562*长603 mm | ||
| 标准重量 | kg | 41 | 50 | 62 |
翁开尔是德国ANSEROS安索罗斯中国总代理，了解更多关于德国ANSEROS安索罗斯臭氧发生器，欢迎致电【13202947058】咨询。
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